表面强反型相关硕士博士期刊学术论文

衬底非均匀掺杂器件因为其良好的短沟效应而成为ＭＯＳＦＥＴ器件结构设计中的必要结构之一。而沟道杂质分布对开启电压的影响至关重要。该文针......