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基于极化调控的GaN基增强型HEMT器件研究
GaN基材料作为第三代半导体,由于其无可替代的特性逐渐成为了人们关注的焦点,对以GaN为基础的Ⅲ族氮化物(Ⅲ-N)及其器件的研究也越来......
学位
AlGaN/GaN HEMT
增强型
铁电栅介质
极化调控
衬底转移技术
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