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赝晶锗硅相关论文

基于低温硅技术的赝晶SiGe应变弛豫机理

基于能量平衡条件,结合低温硅(LT-Si)剪切模量小于SiGe的实验结果,从螺位错形成模型出发,给出了基于LT-Si技术的赝晶SiGe应变弛豫......

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SiGe 弛豫低温硅赝晶锗硅缓冲层剪切模量薄膜厚度衬底材料离子注入技术临界厚度

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