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超薄埋氧层相关论文
超薄埋氧层厚度对FDSOI器件短沟道效应影响
随着CMOS技术发展到22nm技术节点以下,体硅平面器件达到等比例缩小的极限。全耗尽超薄绝缘体上硅CMOS(FDSOI)技术具有优秀的短沟道......
期刊
FDSOI
超薄埋氧层
仿真研究
短沟道效应
背栅偏压
FDSOIUltra-thin BOX(UTB)SimulationShort-channel effe
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