超薄栅相关论文
用统计实验研究了从SILC到SBD、HBD几个典型的退化阶段中缺陷的势垒高度和缺陷电流的变化。从SILC到SBD、HBD都是由同一种缺陷......
研究人员开发了一种新型的CMOS工艺技术，实现了在CMOSIC制造中嵌入EEPROM的制造技术。此新工艺制造的是双层多晶硅的EEPLD，与传统的......
采用干涉方法研究FN振荡电流 ,得到一个精确而且简单的测量栅介质层的厚度及隧穿电子在栅介质层导带中的有效质量的表达式 .通过和......
As dimensions of the metal-oxide-semiconductor field-effect transistor (MOSFET) are scaling down and the thickness of ga......
随着器件尺寸的不断减小，直接隧穿电流将代替FN电流而成为影响器件可靠性的主要因素，数值求解的结果表明，镜像势引起的势垒降低对超薄......
给出了一种利用ＦＮ振荡电流的极值测量超薄栅ＭＯＳ结构的栅氧化层厚度和电子在栅氧化层民带中的有效质量方法。利用波的干涉垭处理电子隧穿......
