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超V型结构相关论文
基于CVD工艺的3C/4H-SiC异质外延:缺陷表征及演化
与同质结结构相比,半导体异质结结构表现出一些特有的性质。如由于在垂直异质结面方向上的导带势阱中强束缚而形成的二维电子气充......
学位
化学气相沉淀
3C-SiC异质外延层
缺陷的动力学机理
超V型结构
双边位置缺陷
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