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辐射陷阱电荷相关论文
辐射陷阱电荷对0.18μm N-MOSFET转移特性影响的TCAD仿真
利用 TCAD 仿真技术,研究了电离总剂量辐射陷阱电荷对0.18μm N 沟道 MOSFET 转移特性的影响.构建了0.18μm N 沟道MOSFET的三维仿......
期刊
TCAD仿真
深亚微米MOS器件
总剂量辐射效应
辐射陷阱电荷
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