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改进窗函数下的忆阻器特性分析和研究
基于杂质漂移机理, 分析了忆阻器的导电过程, 为了更加准确地模拟忆阻器内部离子的实际迁移情况, 提出了一种改进的窗函数模型. 基......
期刊
忆阻器
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窗函数
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滞回曲线
memristorI-V characteristicswindow functionscalabilit
忆阻器的电路特性研究及其应用
忆阻器是蔡少棠教授从对称性角度预言提出的一种二端无源电子元件,用于描述电路理论中电荷q和磁通量φ之间的关系。忆阻器作为一种......
学位
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窗函数
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