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两步法工艺制备GaN纳米晶
采用先在si(111)衬底上磁控溅射制备Ga2O3,然后在氨气气氛中退火氨化的方法制备了一维GaN纳米晶结构.通过对不同温度下氨化生长的GAN纳......
期刊
氮化镓
纳米晶
两步法工艺
退火氨化
磁控溅射
GaN nano-crystal annealing in NH3 two-step method magne
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