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部分n^+浮空层相关论文
具有部分n^+浮空埋层的高压SJ-LDMOS器件新结构
为了抑制衬底辅助耗尽(SAD)效应并提高超结器件击穿电压,提出一种具有部分n^+浮空层SJ-LDMOS新结构。n^+浮空等位埋层能够调制器件横向......
期刊
部分n^+浮空层
SJ-LDMOS
击穿电压
partial n^+-floating layer SJ-LDMOS breakdown voltage
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