通过单步长时间退火（650～1150℃／64h）和低高两步退火（650℃／16h＋1000℃／16h和800℃／4～128h＋1000℃／16h），研究锗对重掺硼硅（HB-Si）中氧沉淀的影响．实......

p/p+硅外延片是一类重要的硅材料,目前,p/p+硅外延片主要在以CMOS工艺为代表的超大规模集成电路和大功率器件中应用。由于轻掺硼硅......