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用ＰＥＣＶＤ法在Ｓｉ衬底上沉积了纳米硅（ｎｃ－Ｓｉ：Ｈ）薄膜，其室温暗电导可达１０＾３－１０＾－１Ω＾－１ｃｍ＾－１，高于本征单晶硅的电导，将其制成遂道二极管，其Ｉ－Ｖ曲线在７７Ｋ呈现出量子台阶，对这一新颖物理......
给出量子台阶上准呸缚电子能态间的跃迁特性，通过理论计算模型中等效电子波函数相干长度对量子台阶光学特性的影响，提出了一种对电子......
