金属化相变相关论文
在活塞-圆筒式p-V关系测量装置上研究了单晶InSb在室温下、4.5GPa内的p-V关系实验结果发现它在2.4GPa左右发生了相变。给出了它在......
本论文利用基于金刚石对顶砧(DAC)高压原位测量技术，通过高压原位交流阻抗谱，高压原位电阻率和变温电阻率测量等实验手段并结合基于......
碳氢化合物在极端条件下的金属化相变研究是近年来的一个热点。苯是芳香族最简单的化合物，探索高温高压下液态苯的物理性质，对于研究......
在金刚石压砧装置上，采用电阻和电容测量方法，研究了粒径为１５～１８ｎｍ和８０ｎｍ的纳米晶Ｓｉ在室温下、２４ＧＰａ内的电阻、电容与压力的关系。实验结果表明，它们分别......
在金刚石压砧装置上，采用我们建立的电阻测量方法，研究了半导体ＩｎＰ０．９７Ａｓ０．０３、ＩｎＰ０．５Ａｓ０．５、Ｇａ０．７６Ｉｎ０．２４Ａｓ和Ｇａ０．２４Ｉｎ０．７６Ａｓ在室温下、１６ＧＰａ内的电阻与压力的关系。工作中，对测量技术进行了一些......
在金刚石压贴装置上，采用电阻和电容测量方法，研究了粒径为１５￣１８ｎｍ和８０ｎｍ的纳变晶Ｓｉ在室温下，２４ＧＰａ内的电阻，电容与压力的关系。实验结果表明，它们分别在１９￣１７ＧＰａ和......
采用电阻和电容测量方法,在金刚石压砧装置上研究了Sr2FeMoO6多晶粉末在室温下和20GPa内的电阻、电容和压力的关系.实验结果表明,......
锗化镁是一种窄带半导体,压力作用可以使锗化镁导带底与价带顶的能隙变小.本文基于第一性原理计算了锗化镁在高压下的能带结构以及......
InSe属于Ⅲ-Ⅵ族半导体化合物，由于它在化学键上表现出很强的各向异性，因此具有很好的光电效应，在光电领域具有重要的应用价值，引起人......
在金刚石压砧装置上，采用我们建立的电阻测量方法，研究了半导体ＩｎＰ０．９７Ａｓ０．０３、ＩｎＰ０．５Ａｓ０．５、Ｇａ０．７６Ｉｎ０．２４Ａｓ和Ｇａ０．２４Ｉｎ０．７６Ａｓ在室温下、１６ＧＰａ内的电阻与压力的关系。工作中，对测量技术进行了一些......
