利用LP-MOCVD系统在Si(111)衬底上生长出了高质量的InGaN MQW蓝光LED外延片,X射线双晶测试获得了多级InGaN MQW卫星峰.制成标准管......

研究了金属有机化学气相沉淀反应器的几何形状对于反应腔内的涡旋产生的影响，表明衬底上方的涡旋不仅会影响到薄膜生长的厚度，而且会......

探讨了GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)器件的基础——AlN缓冲层的制备,运用金属有机化学气相沉淀(MOCVD)技术,采用脉冲原子层外延(PA......

半导体纳米线以其独特的结构特征和电学、光学特性成为当前信息科学和纳米材料领域的研究热点。Ⅲ-Ⅴ族纳米线具有直接带隙、电子......