金属有机物化学气相沉积相关论文
砷磷体系材料在电子迁移率方面具有很大优势,不同的材料组合拓宽了该材料体系。与锑结合的砷磷体系中波超晶格材料已经在红外探测......
非辐射共振能量转移(Non-Radiative Resonance Energy Transfer,NRET)是通过非辐射过程而发生的激子间的能量转移,在高效率的白光器......
本文采用同步辐射XRD方法研究了不同温度下蓝宝石(0001)衬底上MOCVD异质外延六方相InN(h-InN)薄膜中立方相InN(c-InN)的相对含量的......
用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)技术,在蓝宝石衬底上生长了Al组分阶变势垒层结构的AlGaN/AlN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)结构......
利用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)技术在蓝宝石衬底上外延生长了铝镓氮(AlGaN)薄膜.采用透射谱的方法确定AlGaN外延层的带隙,采......
采用金属有机物化学气相沉积设备生长InGaAs/AlGaAs应变多量子阱有源区和双氧化限制层的外延整体结构,利用断点监控电感耦合等离子......
测量了用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)方法在GaAs衬底上生长的Ga0.5In0.5P外延层的近红外光致发光光谱,观察到三个与深能级有关......
氮化镓(GaN)作为一种代表性的宽禁带半导体材料,因其优异的光电性能和稳定性,十分适合制备光电子器件和微波射频器件,在照明与显示、5......
金属铱具备高熔点、低饱和蒸汽压、低氧渗透率,是理想的高温抗氧化涂层材料.铱涂层的理论使用温度接近其熔点(2443℃),并已实现......
会议
生长率,表面形态学和水晶的质量上的反应堆压力的效果轧了金属在蓝宝石上种的电影器官的化学蒸汽免职被学习。结果作为压力从 2500 ......
BGaN合金材料的禁带宽度在3.45.5 eV之间连续可调,对应的发光波长范围在225365 nm之间,可以用于紫外发光器件的制备。同时,通过调......
学位
钕钡铜氧(NdBCO)超导薄膜因在强磁场下拥有高临界转变温度(T_c)与高临界电流密度(J_c),且其本身的结晶质量与表面稳定性均优于目前......
近年来,Ⅲ族氮化物由于其优异的性能在功率电子和光电子领域的应用越来越广泛。到目前为止,绝大部分商用的Ⅲ族氮化物器件是生长在......
第三代半导体材料GaN由于其优良性质,使其在光电子、高温大功率器件、高频微波器件、抗辐射和高密度集成的电子器件领域有良好......
采用金属有机物化学气相沉积法(MOCVD)在硅(Si)衬底制备铝/氮化铝/氮化镓(Al/AlN/GaN)多层薄膜,使用光学显微镜(OM)、原子力显微镜......
采用低压金属有机物化学气相沉积(LPMOCVD)在不同偏角GaAs衬底上通过AlxGa1-x-yInyAs晶格异变缓冲层生长了InP外延层.并用高分辨X......
多层InGaN量子点作为有源区是解决绿光发光二极管(LED)量子效率低的有效手段,而GaN盖层对于多层InGaN量子点的外延生长有非常重......
金属有机物化学气相沉积(Metal-organic Chemical Vapor Deposition,MOCVD)是制备微电子和光电子领域所需的半导体薄膜材料的最主要技......
学位
GaN材料由于其禁带宽度大、电子饱和速率高、耐高压、抗辐射能力强而成为了制作高温、高频、大功率、抗辐射微电子器材的首选材料......
学位
该研究首次采用大气开放式MOCVD制备氧化钒薄膜.该方法是在大气开放的气氛下以化学有机物作为前驱物,以氮气作为载体将反应物运输......
学位
ZnO材料在光电、压电、气敏、压敏等许多方面具有优异的性能.宽禁带ZnO半导体为直接带隙,室温带隙为3.37V,且束缚激子能高达60meV,......
学位
GaN基半导体作为一种新的光电功能材料,以其宽的禁带宽度、高稳定性、高热导率、高硬度等优良性质,可广泛应用于固态照明、太阳能电......
学位
YBa2Cu3O7-δ高温超导材料在超导发电机、电动机、强场磁体、限流器、储能系统等方面有着广泛的应用前景。但是直接在柔性的金属Ni......
与GaN晶格匹配的高质量AlInN材料,由于其优良的性质而被广泛应用于半导体光电子和微电子器件。Al1-xInxN的禁带宽度可以在0.7eV到6.......
学位
近中红外波段在通讯、探测、环境监控、医疗以及军事领域占有举足轻重的地位。发展近中红外激光器一直以来都是科学界不断创新和研......
半导体纳米线在新一代的电子和光电器件中有着巨大的应用前景。基于异质结纳米线的半导体光电器件已经成为当代科学研究的热点,如纳......
第三代半导体材料重要组成成员的GaN材料的应用范围非常广泛,可以用于制作微电子、光电子等多种器件。 本文对MOCVD生长GaN材料......
为提高硅基薄膜太阳电池对入射光的利用率,在电池中引入陷光结构至关重要。在NIP型硅基薄膜太阳电池中,陷光作用主要来源于粗糙的背......
近年来,柔性硅基薄膜太阳电池研究逐渐成为硅基薄膜太阳电池研究热点。国际上,对于柔性衬底太阳电池,研究人员普遍采用n-i-p型结构,而p......
近年来,Ⅲ-Ⅴ族GaN材料及AlGaN/GaN异质结由于临界击穿场强高、热传导性好、电子饱和迁移率快和电子面密度高等优点在高频、高压和......
GaAs太阳能电池由于其性能优越,成为了光伏领域的发展重点。本文主要介绍了砷化镓太阳能电池的特点,比较了液相外延(LPE)和金属......
该论文所从事的研究工作主要集中在两个方面:一是LT-GaAs/AlGaAs材料的物性分析和其在光折变器件上的应用,一是GaN基材料在发光二......
该论文的工作分成两部分:一是用MOCVD在R面蓝宝石上生长A面GaN材料,分析和研究外延材料的性能,二是研究GaN基发光二极管的光电性能......
该文系统介绍了Ⅲ-Ⅴ族氮化物材料的物理性能,生长技术和基于该材料体系的基本器件结构,并介绍了金属有机物化学气相沉积(MOCVD)的......
GaN基材料一般生长在蓝宝石衬底上,由于其大的晶格失配和热失配使生长的材料具有高的位错密度,这也限制了GaN基材料应用。特别是对于......
以氮化镓(GaN)为主的Ⅲ族氮化物等第三代半导体是研制微电子器件、光电子器件的新型化合物半导体材料,在光电子器件、高温大功率器......
宽带隙半导体是现代短波长光电子技术发展的材料基础之一。对宽带隙半导体薄膜材料的制备研究和器件开发具有重要的应用价值。近十......
利用应力释放模型计算了 Zn Cd Se/Ga As间的临界厚度 ,并以该临界厚度为基础 ,用 MOVCD设备在Stranski-Krastanow (S-K)生长模式......
期刊
采用常压金属有机物化学气相沉积技术在钛板上沉积了TiO2膜电极,研究了其制备的重要工艺参数,进行了光化学、电化学特性的测试和表......
提出了通过隧道带间级联实现半导体激光器有多个激射波长的新型物理思想 ,并以GaAs为隧道结 ,InGaAs应变量子阱为有源区 ,利用金属......
期刊
双AIN插入层方法被用来在Si (111)图形衬底上进行AlGaN/GaN高迁移率晶体管(HEMT)的金属有机物化学气相沉积(MOCVD)外延生长.Si图形......
用金属有机物化学气相沉积技术在蓝宝石衬底上外延了高P组分的GaN1 -xPx薄膜 利用x射线衍射仪和拉曼光谱仪研究了P对GaN1 -xPx 晶......
采用同步辐射XRD极图法对低温MOCVD生长的GaN缓冲层薄膜进行了研究.极图研究表明,低温GaN薄膜中除有正常结晶外还存在一次孪晶和二......
利用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)方法在Al2O3(0001)衬底上生长ZnO薄膜,通过改变衬底温度及生长舱压力,得到了各种不同表面形貌......
期刊
应用缓冲层对自组装结构的作用能Er 和自组装结构表面能Es 的协同作用分析了InP自组装结构在GaxIn1 -xP缓冲层表面的形貌变化 .计......
期刊
为了提高制备铁电薄膜的可靠性和重复性,设计了基于PLC控制的液态源MOCVD系统。通过触摸屏完成系统控制、工艺参数设置及数据显示,实......
金属有机物化学气相沉积(MOCVD)方法生长应变InGaAs/GaAs量子阱,应变缓冲层结合生长中断改善量子阱的PL谱特性.用该量子阱制备的激......
本文采用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)在Si(111)衬底上生长了非故意掺杂GaN薄膜。高分辨率X射线衍射(HRXRD)和Lehighton非接触面电阻测......
通过金属有机物化学气相沉积方法在碳纳米管模板上生长氮化镓纳米线束.对所生长的纳米结构进行了扫描电镜和X射线能谱分析,结果显......