金属有机物化学气相沉积法相关论文
本文利用低压MOCVD方法生长得到了无裂纹的2.5nmAlGaN/GaN超晶格,并对其进行了三轴晶X射线衍射(TXRD)、x射线反射(XRR)、高分辨透......
研究了3D层的生长温度对蓝宝石图形化衬底上生长GaN性能的影响。采用金属有机物化学气相沉积法(MOCVD),在2英寸蓝宝石图形化衬底上......
采用金属有机物化学气相沉积法(MOCVD)生长Ga As/Al0.3Ga0.7As量子阱材料,制备300μm×300μm台面,内电极压焊点面积为20μm×20μ......
采用金属有机物化学气相沉积法在c面蓝宝石衬底上生长了高质量的β-Ga2O3薄膜,并将样品分别在真空、氧气、氮气氛围下退火30 min,......
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期刊
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GaAs/AlGaAs量子阱红外探测器(Quantum Well Infrared Photodetectors,QWIP)是先进薄膜生长技术与微电子学相结合的新型红外探测器。......