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金属-氧化物-半导体场效应相关论文
金属-氧化物-半导体器件γ辐照温度效应
研究了金属-氧化物-半导体(MOS)器件在γ射线辐照条件下的温度效应.采用加固的CC4007进行辐照实验,在不同温度、不同偏压,以及不同......
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金属-氧化物-半导体场效应
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