磁控溅射法制备了Ti-Al(40 nm),超薄Ti-Al(4 nm)薄膜,分别采用X射线衍射仪(XRD)、原子力显微镜(AFM)、四探针检测仪(Four-Point Pr......

采用射频磁控溅射法在Si（100）基片上首先沉积了厚度40nm的非晶钛-铝薄膜，然后在其上又原位生长了厚度100nm的铜薄膜，制备了铜膜／钛-铝膜......

采用射频磁控溅射法在Si(100)基片上首先沉积了厚度40 nm的非晶钛-铝薄膜,然后在其上又原位生长了厚度100 nm的铜薄膜,制备了铜膜/......