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AlGaN材料具有可调的宽禁带直接带隙,电子饱和漂移速度高、击穿场强大、化合键能强,由于材料晶体结构和生长技术的原因,AlGaN材料......
宽禁带III-V族氮化物(InN、GaN、AIN以及由它们组成的合金固熔体)是直接带隙材料，其覆盖从红光到紫外间的光谱范围。其中，AlxGal-xN......
文章通过AlGaN材料的金属接触制作工艺和接触性能、接触界面显微结构和基础理论研究等诸方面反映AlGaN材料的欧姆接触及势垒接触研......
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氮化物是第三代半导体材料中最引入瞩目的材料,GaN基蓝光LED技术的进步和发展引发了照明产业的革命。相比于蓝光LED,深紫外LED有着......
