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铟镓氮三元化合物相关论文
LP—MOCVD生长InGaN及InGaN/GaN量子阱的研究
利用MOCVD系统在Al2O3衬底上生长InGaN材料和InGaN/GaN量子阱结构材料.研究发现,InGaN材料中In组份几乎不受TMG与TMI的流量比的影......
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