采用 GSMBE技术 ,在材料表征和分析的基础上 ,通过优化生长条件 ,生长出高性能In0 .4 9Ga0 .51P/ Ga As异质结双极晶体管 (HBT)微......

用Ｋｅｉｔｈｌｅｙ Ｓ９００Ａ型半导体自动参数测试仪测量了用ＭＯＣＶＤ方法生成的ＩｎＧａＰ／ＧａＡｓ异质结样品的界面Ｃ－Ｖ的分布。用多项式逐段拟合的方法，转化得到界面浓度的分布，最后计算......

利用一套ＣＣＤ显微荧光图像观测和采集分析系统，分别在室 液氮温度下对半径为５μｍ发射波长０．６５μｍ的ＩｎＧａＰ半导体光学微盘的光图像进行了观测。......

利用深能级瞬态谱和瞬态光电阻率谱研究了利用金属有机物化学汽相沉淀生长的未有意掺杂的Ｉｎ０．４９Ｇａ０．５１Ｐ中缺陷对载流子的俘获过程和发射过程。......

利用普通的液相外延和微加工技术成功地制备了ＩｎＧａＡｓＰ单量子陆微盘激光器，并从实验上观测到远低于普遍激光器阈值条件下的单模振荡，证实了微......

采用反射式扫描近场光学显微技术分别对直径为５μｍ和１０μｍ的图钉式ＩｎＧａＰ光学微盘进行了形貌和光致发光的图测量和研究，并与由常规光学荧光显微......