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铪钛氧化物相关论文

HfTiO氮化退火对MOS器件电特性的影响

采用磁控溅射方法，在Si衬底上淀积HfTiO高k介质，研究了NO、N2O、NH3和N2不同气体退火对MOS电特性的影响。结果表明，由于NO氮化退火能......

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铪钛氧化物高K栅介质氮化淀积后退火 HfTiO high-k gate dielectric natridation post-depositio

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