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锌镉碲化合物相关论文
采用ZnCdTe衬底的MBE Hg1—xCdxTe位错密度研究
报道了用MBE的方法,在ZnCdTe衬底上制备Hg1-xCdxTe薄膜的位错密度的研究结果.研究发现Hg1-xCdxTe材料的位错密度与ZnCdTe衬底的表......
期刊
分子束外延
Hg1-xCdxTe薄膜
位错密度
MBE
汞镉碲薄膜
ZnCdTe
锌镉碲化合物
红外焦平面探测器
生长条件
MBE
Hg1-xCdxTe
d
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