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锗化镁是一种窄带半导体,压力作用可以使锗化镁导带底与价带顶的能隙变小.本文基于第一性原理计算了锗化镁在高压下的能带结构以及......
石墨在锂化和去锂化过程中具有相当低的可逆容量(372 mAh g-1)。与石墨相比,锗(Ge)具有较高的理论比容量(1600 mAh g-1)和较低的工......
本论文的研究内容包含两部分,第一部分是研究硅化镁和锗化镁在高压下的金属化相变。首先测量了硅化镁半导体在连续加载压力下的电......
