锗硅单晶相关论文
本文研究了在利用快速热处理(RTP)注入的大量空位在不同的温度下进行不同的热处理时对掺锗直拉单晶硅氧沉淀的行为的影响。结果表明,......
通过改进SiGe单晶生长热场和Ar气流动方式,并采用合适的生长速度,优化调整SiGe单晶生长控制工艺参数,有效控制了SiGe单晶的位错密度。......
为了控制锗在硅中的分凝和分布的均匀性,抑制熔体中因重力场引起的无规律热对流和质量对流,文中设计制造了一种新型的环型永磁场直......
设计了一种永磁(钕铁硼)环形磁场装置代替常规电磁场用于 直拉炉生长单晶硅和掺锗单晶硅(PMCZ法)。磁力线呈水平 辐射状均匀分布。......
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