研究了不同时间间隔淋洗６８Ｇｅ－６８Ｇａ发生器时，６８Ｇａ的淋洗曲线、淋洗效率、６８Ｇｅ的穿透率、流出液中的Ｓｎ含量及温度对６８Ｇａ淋洗效率的影响。实验结果表明，用１ｍｏｌ／ＬＨＣｌ淋洗以......

为了制备性能更好的~(68)Ge/~(68)Ga发生器,以满足正电子断层显象技术发展的需要,调查了多种载体的Ge、Ga吸附性质,建立了三个~(68......

用自制的ＳｎＯ２·ｘＨ２Ｏ经热处理后作为＾６８Ｇｅ－＾６８Ｇａ发生器的吸附剂，用模拟试验的方法研究了Ｇｅ的吸附与Ｇａ的淋洗。结果表明，自制ＳｎＯ２·ｘＨ２Ｏ对Ｇｅ有较好的选择吸附性能......

测量了硫酸介质中Ｇｅ在硅胶上的分配比及Ｇａ，Ｃｕ，Ｚｎ在硅胶上的吸附。研究了硫酸浓度，Ｇａ浓度及原始溶液中Ｇｅ载体量对Ｇｅ分配比的影响。实验结果表明；用Φ１０ｍｍ&#......

本文介绍了在大量Ｃｏ，Ｃｕ，Ｇａ，Ｎｉ，Ｚｎ存在下，简便快速测定Ｇｅ的分析方法，经过蒸馏，将Ｇｅ与大量的Ｃｏ，Ｃｕ，Ｇａ，Ｎｉ，Ｚｎ分离，然后用分光光度法测定Ｇｅ含量，此分析方法已成功地应用于放射性......

研究了六种ＳｎＯ２对６８Ｇｅ和６８Ｇａ的吸附性能。以性能较好的一种为支持体制备６８Ｇｅ－６８Ｇａ发生器，并观察了淋洗条件对其性能的影响。以１．０ｍｏｌ／ＬＨＣｌ为淋洗剂，所得４．０ｍＬ淋洗剂中６８Ｇａ的收率......