长波碲镉汞相关论文
采用CdTe/ZnS复合钝化技术对长波HgCdTe薄膜进行表面钝化,并对钝化膜生长工艺进行了改进。采用不同钝化工艺分别制备了MIS器件和二......
红外焦平面杜瓦组件封装技术，是指将研制成功的带有读出电路的红外焦平面列阵组装到杜瓦中的一段工艺，是推动红外焦平面探测器应用的......
采用不同钝化工艺制备了一系列具有不同P/A比的变面积光电二极管器件.在77～147 K温度范围对器件R0A和1 000/T关系进行了分析,结果表......
采用不同工艺生长了CdTe/ZnS复合钝化层,制备了相应的长波HgCdTe栅控二极管器件并进行了不同条件下I-V测试分析.结果表明,标准工艺......
通过分析器件工艺对大面阵长波碲镉汞芯片性能的影响,发现光刻工艺非均匀性累积进而显著影响碲镉汞芯片性能的现象。应用Matlab仿......
本文基于ICP方法对长波HgCdTe材料表面进行了氢化处理,首次在同一焦平面器件上实现了氢化工艺效果的对比。利用原子力显微镜(AFM)......
采用不同的溅射功率在长波HgCdTe(碲镉汞)薄膜表面沉积了CdTe钝化膜,制备了相应的MIS器件和二极管器件,并对器件进行了I-V测试和C-......
采用不同钝化工艺制备了一系列具有不同P/A比的变面积光电二极管器件.在77147 K温度范围对器件R0A和1 000/T关系进行了分析,结果表......
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