闸极氧化层相关硕士博士期刊学术论文 - 搜论网

闸极氧化层相关论文

硅晶圆D-缺陷之分析与改善

半导体用硅晶棒主要是使用CZ法长晶.在长晶过程中因温度梯度及长晶速率之变动致使点缺陷不平衡而产生D-缺陷(V-rich,COP,FPD)和A-......

会议

硅晶圆 D-缺陷闸极氧化层高温掺氮

飞利浦公布新型半导体技术

在2004年12月13日至15日在美国旧金山举行的的IEEE国际电子器件会议(IEDM)上，来自飞利浦的研发专家发表了17余篇关于尖端半导体研发......

期刊

半导体技术 CMOS工艺晶体管闸极氧化层飞利浦公司电子产业

看过本文同时还关注