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利用解析和数值方法计算了Z形磁阱的囚禁势,发现当囚禁中心和芯片表面距离较远时(该距离和Z形线中部导线的一半长度相差不超过一个......
采用DevEdit3D构建了5×5的像元结构模型,在基于Lnuminous1μm的近红外的照射下,利用SilvacoTCAD仿真了像元中心距、阱深、衬底掺......
简单磁镜MM-2ECH实验产生的热电子环未能在磁镜中形成磁阱。反磁信号△V为15cmV时,热电子环垂直方向贮能W。为0.317J,最大β_(⊥,m......