阶梯氧化边相关硕士博士期刊学术论文 - 搜论网

阶梯氧化边相关论文

具有超低导通电阻阶梯槽型氧化边VDMOS新结构

基于国际上Liang Y C提出的侧氧调制思想,提出了一种具有阶梯槽型氧化边VDMOS新结构.新结构通过阶梯侧氧调制了VDMOS高阻漂移区的......

期刊

阶梯氧化边 VDMOS 击穿电压导通电阻 step oxide-bypassed VDMOS breakdown voltage specific on-re

具有超低导通电阻阶梯槽型氧化边VDMOS新结构(英文)

基于国际上Liang Y C提出的侧氧调制思想,提出了一种具有阶梯槽型氧化边VDMOS新结构.新结构通过阶梯侧氧调制了VDMOS高阻漂移区的......

期刊

阶梯氧化边 VDMOS 击穿电压导通电阻

看过本文同时还关注