阻变机制相关论文
二维材料由于具有超薄、柔性的层状结构,有望突破传统阻变材料难以降低忆阻器尺寸的限制,成为存储器、柔性电子、神经形态计算等领域......
随着微电子技术的飞速发展,传统的互补式金属氧化物(CMOS)存储技术已经满足不了人们日益增长的科技需求。忆阻器作为电路四大基础元......
忆阻器可以将信息存储和逻辑运算整合到一个电子器件上,这将打破传统的冯·诺依曼计算机架构,其应用前景不可估量.首先简述了忆阻......
Adjustable resistive switching mechanisms of metal/PEDOT:PSS memristor and simulations to biological
Interaction in inorganic/organic interface plays decisive role on resistive switching(RS)mechanisms when current is inje......
忆阻器作为一种新型的电路元件,相比于传统存储元件具有无源性、低耗能、高密度以及非易失等特性。忆阻器具有依赖于历史状态的动态......
人们对下一代高存储密度、低功耗与高速非易失性存储器的需求,极大地刺激与推动相关新型功能材料的研究。钙钛矿型氧化物BiFeO_3(B......
随着移动终端、云计算、大数据等信息技术的突飞猛进,市场对性能优越的电子产品的需求日益迫切。存储器是限制计算机技术发展最大......
基于纳米材料与有机聚合物复合的电双稳存储器件由于快速响应、非破坏性读取、高存储密度和易于制备等特点备受关注。已有研究结果......
阻变存储技术凭借众多氧化物、固态电解质材料、有机材料中存在的电阻记忆及转变特性,有望开拓新一代非易失性信息存储领域。它能......
随着信息技术和人工智能的不断发展,大数据的爆发促使人们对于大数据的存储需求不断增加,而大量的数据存储需要建立在高性能大容量......
通过测试不同工艺条件下的导电丝形成算法与低阻阻值分布、烘烤失效率等的关系,研究了阻变存储器(RRAM)单元导电细丝形成过程对可......
阻变存储器(RRAM)因具有简单结构、低功耗和高速等优点而受到广泛关注。特别是透明阻变存储器(TRRAM)兼备高透明度的优点而引起人......
集成电路的发展离不开存储器性能的提高。如何制造出低成本、高密度、高速度的存储器成为当前研究的核心问题。使存储器件小型化是......
早在1971年Chua等人提出了忆阻器的感念,其电阻对所通过电量的依赖性,被认为是电阻、电容和电感之外的第四种基本电路元件。近年来......
目前的半导体存储器市场中,主要以挥发性的动态随机存储器(DRAM)和静态随机存储器(SRAM)及非挥发性的快闪存储器(Flash)为代表。其......
在过去的几十年中,随着对便携式移动电子设备日益增长的需求,非易失性存储器已被广泛研究。以Flash存储器为代表的传统非易失性存......
伴随着信息技术的发展,数据量日益暴增,对数据的存储能力的要求日益增强,主要包括更大的存储密度,更快的擦写读速度,更低的功耗,更......
基于二元金属氧化物的阻变式随机存储器(RRAM)由于结构简单、价格低廉等诸多优点,成为了人们研究的热点。ZnO是一种宽禁带半导体,......
随着器件尺寸的缩小,阻变存储器(RRAM)具有取代现有主流Flash存储器成为下一代新型存储器的潜力.但对RRAM器件电阻转变机制的研究......
随着电子技术的发展,兼具透明、柔性等特性的功能电子器件得到了广泛关注。作为新型电子存储器件,忆阻器在新一代信息技术领域(包......
BiFeO_3(BFO)具有室温铁电性和反铁磁性,在数据存储、磁电器件和微电子器件等领域具有广泛的应用前景。我们采用偏轴射频磁控溅射......
随着器件尺寸的缩小,阻变存储器(RRAM)具有取代现有主流Flash存储器成为下一代新型存储器的潜力。但对RRAM器件电阻转变机制的研究在......
随着闪存技术即将达到尺寸极限而面临无法等比例缩小的问题,一种基于材料电阻转变特性的电阻式存储器(RRAM)由于其结构简单、可缩......
随着传统CMOS器件的性能指标正在接近其物理极限,一方面,通过进一步缩小器件特征尺寸以增加传统半导体存储器,例如闪存的存储容量......
忆阻器(RRAM)是一种新兴的非挥发性存储器,具有简单的器件结构、较快的操作速度和相对较小的功耗。简述了忆阻器的基本原理以及该......
采用磁控溅射的方法在Pt电极上沉积了锆铪氧薄膜,并制备了Pt/Zr0.5Hf0.5O2/Pt结构的电容器,用XRD表征了锆铪氧薄膜的结晶状态,通过在......
随着器件特征尺寸不断缩小,集成度不断提高,传统的基于电荷存储的非易失性FLASH存储器将面临物理与技术的极限。新型的阻变存储器......
本文将研究RRAM的注意力集中在Hf O2金属氧化物材料上,因为其组份简单且制备工艺与目前的CMOS工艺相兼容。在基于Hf O2材料的阻变......
ZnO纳米棒具有宽禁带、易于制备合成和优秀的光学性能等优点,在电子和光电子器件领域有着很好的应用价值。由于载流子在两个维度上......
采用简单旋涂工艺制备了具有ITO/PVP/ZnO NCs/PbS NCs/PVP/Al夹心结构的有机/无机复合电双稳存储器件,与没有PbS纳米晶修饰层的器......