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制成一批本征α-Si:H的金属-绝缘体-半导体结构;用高精度密差分电容谱仪测量了这种结构在50℃时的电容,电导谱,通过修正获得了由隙态决定的电导......
本文提出了一种严格校准调制光电流相移的方法,在此基础上,采用调制光电流相移分析技术研究了不掺杂氢化非晶硅(a-Si:H)薄膜费米能级以上隙态......