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制成一批本征α－Ｓｉ：Ｈ的金属－绝缘体－半导体结构；用高精度密差分电容谱仪测量了这种结构在５０℃时的电容，电导谱，通过修正获得了由隙态决定的电导......
本文提出了一种严格校准调制光电流相移的方法，在此基础上，采用调制光电流相移分析技术研究了不掺杂氢化非晶硅（ａ－Ｓｉ：Ｈ）薄膜费米能级以上隙态......
