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本文介绍了基于分子束外延(MBE)法生长的锗硅/硅(SiGe/Si)结构的异质结双极晶体管(HBT)的研制.在该项研究工作中,SiGe/Si薄膜是用......
本文介绍一种成本极低、使用方便的晶体管放大倍数测定器,其电路如附图所示。它不含任何表头,而是用两只发光二极管来判定测量结......
本文介绍行扫描故障的五种检查判断方法,这五种方法灵活结合,可以更快更准确找到故障部位。 rn1行激励管和行输出管的发射结......
当设计者用光电晶体管将一个调制后的光信号转换成电信号时,如果有高亮度的背光使光电晶体管饱和,就会遇到麻烦.当光电晶体管基极......
JT-1型晶体管特性图示器由于其读测简便、直接显示的优点而被广泛采用,但有的晶体管特性图示器集电极取样电路设计具有一定的缺陷,会......
IGBT导通和截止电压相差较大,传统的检测电路无法实现其宽范围、高精确度的测量。首先,本文提出了一种IGBT导通和截止电压集成的测......