静电吸盘相关论文
在硅深-亚微米沟道反应离子刻蚀(RIE)中,发现氯化气体比氯化气体显然有较大的微-负载效应。为了解作气体效应,利用Cl2和SF6进行了模型实验。对腐蚀......
1 前言1994年开始大批量生产16MDRAM,作为研究开发阶段也是从以64MDRAM 为代表的0.4μm 器件过渡到以256MDRAM 为代表的0.25μm ......
为研究等离子体刻蚀中静电吸盘绝缘层结构对晶圆温度分布均匀性影响,建立了晶圆与静电吸盘三维传热模型,采用中心组合设计方法分析了......
在晶圆等离子刻蚀过程中,静电吸盘对调节和控制晶圆表面温度均匀性、保障晶圆加工质量起着重要作用。本文对静电吸盘的传热以及温......
半导体设备中常用静电吸盘的原理,通过在LABVIEW软件中仿真得出设备最佳运行状态下的相关参数。分析单极和双极静电吸盘的模型建立......
在超大规模集成电路制造过程中,静电吸盘(ESC)以其良好的热传导性及较少的缺陷产生率已经广泛应用于ETCH,CVD等制造工艺中。ESC除了......
IC制造业极大地依赖于半导体设备的投入。随着硅片尺寸大直径化、设备精度和自动化程度的提高,芯片制造企业的设备总投资在成倍的......