非完全离化相关论文
考虑空间电荷区杂质的非完全离化、SiC表面的界面态和反向漏电流等因素的影响,给出了较为精确的计算SiC-MESFET器件夹断电压的方法......
碳化硅(SiC)材料具有热导率高、电子的饱和速度大、击穿电压高等优点,是制备高温、大功率、高频等半导体器件的理想材料。由于杂质在S......