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非晶态-晶态相变相关论文

高剂量Ge离子注入直接形成nc-Ge的研究

报道了分别采用剂量为1×10^16，1×10^17，5×10^17和1×10^18cm^-2的高剂量Ge离子注入，不需退火即可在SiO2中直接形......

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Ge纳米晶离子注入非晶态-晶态相变 nanocrystalline Geion implantationamorphism-crystal transiti

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