非晶InGaZnO薄膜晶体管因具有高迁移率、低温制备过程、低的漏电流和较高的光学透过率等优异特性,a-IGZO TFT被视为下一代有源矩阵......

新型柔性器件由于工艺差异和特殊应用场景,其可靠性研究对于加速柔性显示产品量产有重要意义;而剥离技术作为关键工艺,则对柔性TFT......

透明氧化物基薄膜晶体管由于具有较好的电学和光学特性,在下一代显示产业中极具应用前景,因而受到广泛关注。特别由于非晶a-IGZO T......

采用氢（H）扩散掺杂源漏的方法对自对准顶栅a-IGZO TFT的制备工艺进行了研究。氢的扩散掺杂通过PECVD生长SiNx钝化层而实现。实验结果......

非晶铟镓锌氧（Amorphous Indium-Gallium-Zinc-Oxide,a-IGZO）薄膜晶体管（Thin Film Transistor,TFT）,具有电子迁移率高、制备温度低、......