高场退化相关论文
Ⅲ族氮化物材料是制造高压、高温、高频(RF)电子器件的理想材料，对其研究成为了国内外广泛关注的焦点。由于综合性能优势，氮化镓(GaN......
GaN基HEMT器件由于其高击穿电场，高饱和速度等优越性能，在高频高温大功率器件应用方面有着广泛的前景。双异质结HEMT器件由于具有较......
学位
本文针对氮化镓（GaN）基高电子迁移率晶体管（HEMTs）的高场退化效应以及器件中的热学问题展开研究。论文首先通过设计恒定应力-恢复实验......
