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研究了高温和电学应力下砷化镓赝晶高电子迁移率晶体管的直流特性退化机理.高温下陷阱辅助发射电流引起器件关态漏电上升,而载流子......
期刊
通过观察AlGaN/GaN HEMT器件在不同的环境温度下直流特性的变化以及器件置于一段时间高温环境后冷却至室温直流特性的变化得出AlGa......
采用交流复阻抗法对用于固体氧化物燃料电池的Ａｇ电极材料的高温（８５０℃）退化特性进行研究，发现Ａｇ电极的性能退化不随时间单调变化，其界面反应电......
研究了已服役16年的汽轮机30Cr1Mo1V高中压转子钢的高温疲劳性能。选取高应力段、高温段和中压段等3个典型部位切向样品进行538℃......
碳化硅(Si C)材料凭借其优越的性能,成为极具潜力的第III代半导体材料,在航空航天、控制系统、通讯等领域有广阔的应用前景。不同......
