氧化锌(ZnO)是一种重要的直接带隙半导体功能材料，其禁带宽度为3.37eV，在室温下具有较大的激子束缚能(60meV)，比GaN(25meV)、ZnSe(22m......

提出了应用高速剪切乳化机制备纳米氧化锌材料的新方法，研究了反应时间、pH值、锌盐浓度、乳化机转速和搅拌方式等实验条件对氧化锌......