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采用直流反应磁控溅射法、室温下在Ｎ－Ｓｉ（００１）上外廷生长了ＺｎＯ薄膜。ＸＲＤ表明已得到ＺｎＯ（０００２）的高度Ｃ－轴单一取向的结果。ＸＲＣ则表明在一批样品上ＦＷＨＭ＜１．１°。这优于国内外溅......
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