在硅衬底上利用具有质量选择功能的低能离子束沉积技术沉积碳离子制备出除碳、硅之外无其他杂质元素的纯净的立方SiC薄膜.利用X射......

研究了Ta种子层的厚度、溅射速率对Ta/Ni65Co35双层膜各向异性磁电阻值(△p/p)、矫顽力和织构的影响.研究表明,适当的Ta层厚度和较......

分别以Ta和（Ni0.81Fe0.19）1-yCry为种子层,研究了Co的含量x及Cr的含量y对Ni1-xCox薄膜各向异性磁电阻值（△ρ/ρ）的影响.结果表明,以Ta......

在硅衬底上利用具有质量选择功能的低能离子束沉积技术沉积碳离子制备出除碳、硅之外无其他杂质元素的纯净的立方SiC薄膜．利用X射线......