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50周期的In0.3Ga0.7As/GaAs应变超晶格的生长
在本文,我们用一个低组分的InxGa1-xAs缓冲层(x ̄0.01),有效地限制了50周期的In0.3Ga0.7As/GaAs应变超晶格本身弛豫所产生的位错,X射线双晶衍射测量结果表明使用这样缓冲层的超......
期刊
半导体
应变超晶格
外延生长
50周期
Buffer circuits
Dislocations (crystals)
Epitaxial growth
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