A1N薄膜相关论文
垂直腔面发射半导体激光器,是一种新型的半导体激光器,具有阈值电流低,功耗小,效率高,发散角小等优点,在光互连和光信息等领域有广......
A1N优异的物理化学性能使得A1N薄膜在压电、光电子及声表面波等领域有着广阔的应用前景，因而受到人们广泛的关注和研究。本文使用超......
本文采用在蓝宝石衬底上分子束外延AlN薄膜的方法,系统研究了氮化温度、缓冲层、Al/N束流比、生长温度等生长条件对AlN的晶体质量......
研究了采用脉冲激光沉积（PLD）技术在Si（100）衬底上A1N薄膜的制备及其性质。结果表明，衬底温度从室温到800℃的范围内，所得到的A1N薄膜为（0......
采用离子束增强沉积技术在100mm硅片上制备大面积均匀AIN薄膜，原子力显微镜（AFM）显示其表面平整光滑，均方根粗糙度（RMS）为0.13nm，满足直接......
