Al GaN/GaN异质结型功率电子器件具有高工作温度、高击穿电压、高电子迁移率等优点，在推动下一代功率器件小型化、智能化等方面具有......

通过金属有机物化学气相沉积（MOCVD）法，在6英寸硅（111）衬底上生长了出制作高电子迁移率晶体管（High Electron Mobility Transistor，HEMT）的......

基于霍尔效应的霍尔传感器因其价格低廉,易于集成,同时在较大的磁场范围内具有良好的线性度而被广泛应用在核探测、生物医学传感、......

氮化镓（Gallium Nitride:GaN）具有禁带宽度大、击穿电场高、热导率高、电子饱和速率高等优越性能,还能与氮化铝（Aluminum Nitride:AlN......

增强型p-GaN栅AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)的栅与源漏之间的沟道特性对器件性能具有重要的影响.在同一晶圆衬底上,采用干法......

生物传感技术是当今社会的前沿科学技术,是集电子、生物、医疗、化学、物理、材料等多学科于一体的交叉综合性学科。生物传感器在......

GaN基HEMT在大功率和高频器件方面应用广泛.虽然目前硅衬底上生长的GaN层和AlGaN/GaN异质结外延的质量还不及在SiC衬底，但是硅衬底......

GaN材料因其宽禁带、高击穿场强、高电子饱和速度、耐高温、抗辐照等特性,并且可通过极化效应形成二维电子气(2DEG),基于GaN异质结......

近年来,第三代半导体材料Ga N凭借其禁带宽度大、击穿场强大等优异的材料特性在电力电子等领域中应用广泛。其中,Al Ga N/Ga N异质......

氮化镓（Ga N）半导体相比于其他几种半导体材料,具有宽禁带（3.39 e V）、高电子迁移率、强抗辐照能力等优点。Ga N基器件凭借这些突出特......

随着现代技术的快速发展,无线输能在人们日常生活中逐渐成为不可或缺的一部分,其中整流电路是无线输能系统的重要组成部分,而整流......