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Al组分V型渐变P型电子阻挡层相关论文
具有Al组分V型渐变电子阻挡层的深紫外LED设计与分析
为了使基于AlGaN外延材料的深紫外发光二极管(DUVLED)的内量子效率(IQE)随驱动电流的增大而降低的幅度减小,有助于DUV LED在一个较......
期刊
深紫外发光二极管
Al组分V型渐变P型电子阻挡层
极化体电荷
电子泄漏
效率降低
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