Al-N共掺杂相关论文
薄膜材料的发展与应用正在人民生活的各个方面发挥着重要作用。目前,人们对薄膜材料的研究在宽禁带半导体薄膜方面发展比较突出。Z......
作为宽带隙半导体的氧化锌，禁带宽度为3.37eV，激子束缚能高达60meV，激子增益也可达到300cm-1，是一种理想的短波长发光器件材料，在LEDs、......
氧化锌是一种Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体材料,室温下氧化锌的禁带宽度为3.37eV,激子束缚能为60 me V,远高于室温离化能(26 me V),使得其......
【摘要】ZnO薄膜具有高电导率、高可见光区透射率等特点，ZnO薄膜在透明导电材料[1]（TCO）领域如太阳能电池、半导体激光器（LD）、发光二极......
采用反应磁控溅射法在室温下沉积前驱体氮化物,在大气环境、500℃下氧化退火30min后获得了Al-N共掺杂ZnO:Mn薄膜。研究了直流与射......
运用真空射频磁控溅射反应系统（JGP500D1）进行薄膜沉积，在经过镜面抛光过的Si单晶片衬底上，利用掺杂质量2％Al的ZnO：Al陶瓷靶（纯度为99．99％），采......
氧化锌（ZnO）作为一种新型的直接宽禁带半导体材料，室温下，测得其禁带宽度为3.37eV，激子束缚能为60meV，并且具有无毒、廉价、抗辐射能力强......
基于密度泛函理论的第一性原理,分析了Al-N共掺杂ZnO的电子结构和光学性质。计算了Al-N复合体共掺ZnO的结合能,发现Al-N复合体可以......
采用基于密度泛函理论的第一性原理平面波超软赝势法,建立了未掺杂,Al,N单掺杂和Al-N共掺杂3C-SiC的4种超晶胞模型,并分别对模型进......
