AlGaInP可见光激光器相关论文
对于GaInP/AlGaInP量子阱激光器,在大电流注入或高温工作时有源区中注入的电子会越过势垒进入p型限制层成为漏电流,严重影响器件的......
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制备了大功率实折射率GaInP／AlGaInP压应变分别限制量子阱激光器．所用外延材料在15°偏角的GaAs衬底上由有机金属气相外延一次外......
用纯Ar离子束刻蚀方法制备出大功率高效率650nm实折射率AlGaInP压应变量子阱激光器．对偏角衬底，干法刻蚀可得到湿法腐蚀不能得到的高......
