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AlInAs氧化物限制相关论文
AlInAs氧化物限制1.3μm低阈值边发射激光器
研究制作了一种利用AlInAs氧化物作为限制的1.3btm边发射AlGaInAs多量子阱激光器.有源层上方和下方的AlInAs波导层被氧化作为电流限......
期刊
AlInAs氧化物限制
脊波导
边发射
激光器
AlInAs-oxide confinement
RWG
edge emitting
laser
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