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AlN厚度相关论文
AlN隔离层生长时间对AlGaN/AlN/GaN HEMT材料电学性能的影响
利用金属有机化学气相沉积(MOCVD)设备,在蓝宝石(0001)面上外延不同生长时间AlN隔离层的AlxGa1-xN/AlN/GaN结构的高电子迁移率的晶......
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